Infineon N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=282 A, TO-263, IPF系列
- RS 库存编号:
- 259-2613
- 制造商零件编号:
- IPF014N08NF2SATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 259-2613
- 制造商零件编号:
- IPF014N08NF2SATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 282A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | IPF | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 282A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 IPF | ||
安装类型 表面 | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon StrongIRFET 2 功率 MOSFET 经优化用于各种应用,如 SMPS、电动机驱动、电池供电、电池管理、UPS 和轻型电动车辆。与之前的 StrongIRFET 器件相比,这种新技术提供高达 40% 的 RDS(on) 改进和高达 60% 的 Qg 降低,从而提高功率效率,从而提高整体系统性能。增加的额定电流允许更高的电流承载能力,无需并行多个器件,从而降低 BOM 成本和板节省。
从分销合作伙伴提供广泛的可用性
出色的价格/性能比
特别适用于高和低切换频率
工业标准通孔封装
高额定电流
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