Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=150 V, 122 A, HSOG, 8引脚, IPT系列
- RS 库存编号:
- 259-2739
- 制造商零件编号:
- IPTG063N15NM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 259-2739
- 制造商零件编号:
- IPTG063N15NM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 122A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | HSOG | |
| 系列 | IPT | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.3mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 214W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 50nC | |
| 正向电压 Vf | 0.84V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 8.75 mm | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 标准/认证 | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 122A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 HSOG | ||
系列 IPT | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 6.3mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 214W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 50nC | ||
正向电压 Vf 0.84V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 8.75 mm | ||
长度 10.1mm | ||
高度 2.4mm | ||
标准/认证 RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
汽车标准 否 | ||
80 V 和 100 V 的 Infineon OptiMOS 5 工业功率 MOSFET 器件设计用于电信和服务器电源应用中的同步整流,也是太阳能、低电压驱动器和笔记本电脑适配器等其他应用的理想选择。此系列功率 MOSFET 具有广泛的封装组合,提供行业最低的 RDS(接通)。SuperSO8 封装中的低接通状态电阻(低至 2.7 mΩ)是这一行业领先的优势数字 (FOM) 的最大贡献者之一,可提供最高水平的功率密度和效率。
N 通道,正常电平
非常低的接通电阻 RDS(接通)
卓越的耐热性
100% 雪崩测试
无铅引线镀层; 符合 RoHS 标准
无卤,符合 IEC61249-2-22 标准