Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 197 A, TO-220, 3引脚, IPP系列
- RS 库存编号:
- 260-1055
- 制造商零件编号:
- IPP013N04NF2SAKMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 管，共 1000 件）*
¥10,113.00
(不含税)
¥11,428.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年3月16日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | RMB10.113 | RMB10,113.00 |
| 2000 - 2000 | RMB9.911 | RMB9,911.00 |
| 3000 + | RMB9.613 | RMB9,613.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-1055
- 制造商零件编号:
- IPP013N04NF2SAKMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 197A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | IPP | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.85V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 159nC | |
| 最大功耗 Pd | 250W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 197A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 IPP | ||
包装类型 TO-220 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.85V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 159nC | ||
最大功耗 Pd 250W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET 可解决从低到高切换频率的广泛应用,从分配合作伙伴提供广泛的可用性,达到出色的价格和性能比。
高额定电流
工业标准通孔封装