Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=205 A, 9针, WHTFN, IQE系列
- RS 库存编号:
- 260-1077
- 制造商零件编号:
- IQE013N04LM6CGSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB27.885 | RMB55.77 |
| 10 - 98 | RMB25.10 | RMB50.20 |
| 100 - 248 | RMB22.595 | RMB45.19 |
| 250 - 498 | RMB20.305 | RMB40.61 |
| 500 + | RMB18.29 | RMB36.58 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-1077
- 制造商零件编号:
- IQE013N04LM6CGSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 205A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | WHTFN | |
| 系列 | IQE | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 205A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 WHTFN | ||
系列 IQE | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 9 | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET 允许通过热垫将源电位连接到印刷电路板,提供多种优点,如增强的热容量、高级功率密度或改进的布局可能性。它还具有降低的有源冷却要求和用于热管理的有效布局,这是系统级别的优势。
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