Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 205 A, WHTFN, 表面安装, 9引脚, IQE013N04LM6CGSCATMA1, IQE系列

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包装方式:
RS 库存编号:
260-1077P
制造商零件编号:
IQE013N04LM6CGSCATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

205A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

WHTFN

系列

IQE

安装类型

表面

引脚数目

9

通道模式

增强

正向电压 Vf

1V

标准/认证

No

汽车标准

Infineon MOSFET 允许通过热垫将源电位连接到印刷电路板,提供多种优点,如增强的热容量、高级功率密度或改进的布局可能性。它还具有降低的有源冷却要求和用于热管理的有效布局,这是系统级别的优势。

启用最高功率密度和性能

卓越的热性能

优化布局可能性

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