Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 205 A, WHSON, 表面安装, 8引脚, IQE系列

可享批量折扣

小计 10 件 (按连续条带形式提供)*

¥174.45

(不含税)

¥197.13

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 5,950 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
10 - 98RMB17.445
100 - 248RMB15.695
250 - 498RMB14.115
500 +RMB12.71

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
260-1079P
制造商零件编号:
IQE013N04LM6SCATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

205A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

IQE

包装类型

WHSON

安装类型

表面

引脚数目

8

通道模式

增强

正向电压 Vf

1V

标准/认证

No

汽车标准

Infineon MOSFET 允许通过热垫将源电位连接到印刷电路板,提供多种优点,如增强的热容量、高级功率密度或改进的布局可能性。它还具有降低的有源冷却要求和用于热管理的有效布局,这是系统级别的优势。

提高印刷电路板损耗

启用最高功率密度和性能

卓越的热性能

优化布局可能性