Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=600 V, 126 A, HDSOP, 表面安装, IPD系列

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RS 库存编号:
260-1203
制造商零件编号:
IPDQ60R065S7XTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

126A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

IPD

包装类型

HDSOP

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

65mΩ

通道模式

N

最大栅源电压 Vgs

30 V

最大功耗 Pd

195W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.82V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

51nC

最高工作温度

150°C

长度

15.5mm

标准/认证

RoHS

宽度

15.1 mm

高度

2.35mm

汽车标准

Infineon MOSFET 为低频切换应用提供最佳价格性能。CoolMOS S7 拥有 HV SJ MOSFET 的最低 Rdson 值,能效显著提高。CoolMOS S7 经优化用于“静态切换”和高电流应用。它特别适用于固态继电器和断路器设计,以及用于 SMPS 和变频器拓扑中的线路整流。

高脉冲电流能力

提高系统性能

更紧凑、更简单的设计

延长使用寿命时,可降低 BOM 和/或 TCO

抗冲击和抗振性

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。