Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=60 V, 185 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IPP系列
- RS 库存编号:
- 260-1210P
- 制造商零件编号:
- IPP019N06NF2SAKMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 10 件 (按管提供)*
¥103.05
(不含税)
¥116.45
(含税)
有库存
- 830 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB10.305 |
| 100 - 248 | RMB9.29 |
| 250 - 498 | RMB8.35 |
| 500 + | RMB7.51 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-1210P
- 制造商零件编号:
- IPP019N06NF2SAKMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 185A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | IPP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.9mΩ | |
| 正向电压 Vf | 0.92V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 188W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 108nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 15.8 mm | |
| 标准/认证 | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 高度 | 4.75mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 185A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 IPP | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.9mΩ | ||
正向电压 Vf 0.92V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 188W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 108nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 15.8 mm | ||
标准/认证 RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
长度 10.67mm | ||
高度 4.75mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET 符合 JEDEC 标准,经优化用于广泛的应用。
无铅引线镀层
符合 RoHS 标准
无卤