Infineon N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=119 A, 3针, TO-220, IPP系列

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包装方式:
RS 库存编号:
260-1212P
制造商零件编号:
IPP030N06NF2SAKMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

119A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-220

系列

IPP

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.05mΩ

正向电压 Vf

0.92V

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

68nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

150W

最高工作温度

175°C

高度

4.75mm

长度

10.67mm

宽度

15.8mm

标准/认证

IEC 61249-2-21, RoHS

汽车标准

否

Infineon MOSFET 符合 JEDEC 标准,经优化用于广泛的应用。

无铅引线镀层

符合 RoHS 标准

无卤

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