Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=600 V, 13 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IPP系列

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RS 库存编号:
260-1215
制造商零件编号:
IPP60R040S7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

13A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

IPP

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

40mΩ

最大栅源电压 Vgs

30 V

最大功耗 Pd

245W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

83nC

正向电压 Vf

0.82V

最高工作温度

150°C

高度

4.57mm

长度

10.36mm

标准/认证

RoHS

宽度

15.95 mm

汽车标准

英飞凌系列 IPP MOSFET 晶体管,600V 最大漏极源电压,13A 最大漏极连续电流 - IPP60R040S7XKSA1


这款 MOSFET 晶体管是专为高效功率开关而设计的尖端高压半导体元件。该器件采用 TO-220 封装,具有包括 13A 连续漏极电流和 600V 最大漏极-源极电压在内的强大规格,适合各种应用。它的工作温度范围很宽,从 -55°C 到 +150°C 不等,可确保在苛刻的环境中发挥可靠的性能。

特点和优势


• 采用 CoolMOS™ S7 技术设计,可最大限度地减少传导损耗

• 40mΩ 的低导通电阻可提高效率

• 能够处理高脉冲电流,满足苛刻的要求

• 针对低频开关应用进行了优化,提高了系统性能

• 内置功能可确保静态交换方案的高可靠性

应用


• 用于固态继电器和创新断路器设计

• 是计算机和电信等大功率应用中线路整流的理想之选

• 适用于可再生能源解决方案,特别是太阳能逆变器

影响热性能的关键特征是什么?


该器件的最大功率耗散为 245W,结点至环境的热阻为 62°C/W,有利于有效的热管理。这确保了在苛刻的运行条件下的使用寿命和可靠性。

该组件如何提高低频应用的系统效率?


凭借其低导通电阻和 CoolMOS™ 技术,运行期间的能量损耗大大降低,从而提高了整体效率,并最大限度地减少了低频环境中的发热量。

在高压应用中使用时有哪些推荐做法?


建议在设计阶段评估宇宙辐射的影响,并考虑适当的设计方法,如在并行应用的栅极上使用铁氧体磁珠,以减轻任何潜在问题。

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。