Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=600 V, 13 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IPP系列
- RS 库存编号:
- 260-1215
- 制造商零件编号:
- IPP60R040S7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | RMB27.048 | RMB13,524.00 |
| 1000 - 1000 | RMB26.507 | RMB13,253.50 |
| 1500 + | RMB25.712 | RMB12,856.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-1215
- 制造商零件编号:
- IPP60R040S7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 13A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | IPP | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 40mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 245W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 83nC | |
| 正向电压 Vf | 0.82V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 15.95 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 13A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 IPP | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 40mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 245W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 83nC | ||
正向电压 Vf 0.82V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 4.57mm | ||
长度 10.36mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 15.95 mm | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌系列 IPP MOSFET 晶体管,600V 最大漏极源电压,13A 最大漏极连续电流 - IPP60R040S7XKSA1
这款 MOSFET 晶体管是专为高效功率开关而设计的尖端高压半导体元件。该器件采用 TO-220 封装,具有包括 13A 连续漏极电流和 600V 最大漏极-源极电压在内的强大规格,适合各种应用。它的工作温度范围很宽,从 -55°C 到 +150°C 不等,可确保在苛刻的环境中发挥可靠的性能。
特点和优势
• 采用 CoolMOS™ S7 技术设计,可最大限度地减少传导损耗
• 40mΩ 的低导通电阻可提高效率
• 能够处理高脉冲电流,满足苛刻的要求
• 针对低频开关应用进行了优化,提高了系统性能
• 内置功能可确保静态交换方案的高可靠性
应用
• 用于固态继电器和创新断路器设计
• 是计算机和电信等大功率应用中线路整流的理想之选
• 适用于可再生能源解决方案,特别是太阳能逆变器
影响热性能的关键特征是什么?
该器件的最大功率耗散为 245W,结点至环境的热阻为 62°C/W,有利于有效的热管理。这确保了在苛刻的运行条件下的使用寿命和可靠性。
该组件如何提高低频应用的系统效率?
凭借其低导通电阻和 CoolMOS™ 技术,运行期间的能量损耗大大降低,从而提高了整体效率,并最大限度地减少了低频环境中的发热量。
在高压应用中使用时有哪些推荐做法?
建议在设计阶段评估宇宙辐射的影响,并考虑适当的设计方法,如在并行应用的栅极上使用铁氧体磁珠,以减轻任何潜在问题。
