Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=319 V, 190 A, TO-263, 16引脚, IPT系列
- RS 库存编号:
- 260-2669
- 制造商零件编号:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1800 - 1800 | RMB26.828 | RMB48,290.40 |
| 3600 - 3600 | RMB26.291 | RMB47,323.80 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-2669
- 制造商零件编号:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 190A | |
| 最大漏源电压 Vd | 319V | |
| 系列 | IPT | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.9mΩ | |
| 正向电压 Vf | 0.81V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 319W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 74nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.35mm | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| 宽度 | 10.3 mm | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 190A | ||
最大漏源电压 Vd 319V | ||
系列 IPT | ||
包装类型 TO-263 | ||
引脚数目 16 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.9mΩ | ||
正向电压 Vf 0.81V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 319W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 74nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.35mm | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21, RoHS | ||
宽度 10.3 mm | ||
长度 10.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET 提供冷却封装,可实现卓越的热性能,采用创新型封装,结合该技术的关键功能,可实现同类最佳产品以及用于高功率密度设计的高额定电流。
提高系统效率,可延长电池寿命
高功率密度
卓越的热性能
节省冷却系统