Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=150 V, 190 A, TOLG, 8引脚, IPT系列
- RS 库存编号:
- 260-2673
- 制造商零件编号:
- IPTG039N15NM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1800 - 1800 | RMB26.192 | RMB47,145.60 |
| 3600 - 3600 | RMB25.406 | RMB45,730.80 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-2673
- 制造商零件编号:
- IPTG039N15NM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 190A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | IPT | |
| 包装类型 | TOLG | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.9mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 0.81V | |
| 最大功耗 Pd | 319W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 74nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 190A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 IPT | ||
包装类型 TOLG | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.9mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 0.81V | ||
最大功耗 Pd 319W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 74nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET 采用改进的 TO 引线封装,带鹰翼引线,具有与 TO 无引线兼容的印迹,可提供出色的电气性能。它是同类最佳技术,具有高额定电流。
高性能能力
高系统可靠性
高效率和低 EMI
优化的板利用率