Nexperia N型沟道 MOSFET, Vds=50 V, 410 A, SOT, 表面安装
- RS 库存编号:
- 260-4741P
- 制造商零件编号:
- PSMNR90-50SLH
- 制造商:
- Nexperia
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 98 | RMB46.79 |
| 100 - 248 | RMB44.42 |
| 250 - 998 | RMB43.54 |
| 1000 + | RMB37.455 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-4741P
- 制造商零件编号:
- PSMNR90-50SLH
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 410A | |
| 最大漏源电压 Vd | 50V | |
| 包装类型 | SOT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 410A | ||
最大漏源电压 Vd 50V | ||
包装类型 SOT | ||
安装类型 表面 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Nexperia 逻辑电平栅极驱动 N 通道增强模式 MOSFET,采用 175 °C LFPAK88 封装。用于电池隔离和直流电动机控制系列的 ASFET 的一部分,使用 Nexperia 独特的肖特基加技术,可提供高效率和低峰值性能,通常与带集成肖特基或肖特基类型二极管的 MOSFET 相关,但无问题高泄漏电流。ASFET 特别适用于需要强大的雪崩能力、线性模式性能、在高切换频率下使用以及在高负载电流下安全可靠的切换的 36 V 电池供电应用。
超快切换,带软主体二极管恢复
非常强的线性模式