Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 202 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 260-5057P
- 制造商零件编号:
- AUIRF1404
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 10 件 (按管提供)*
¥562.70
(不含税)
¥635.90
(含税)
有库存
- 981 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 24 | RMB56.27 |
| 25 - 99 | RMB55.12 |
| 100 - 499 | RMB46.16 |
| 500 + | RMB39.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-5057P
- 制造商零件编号:
- AUIRF1404
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 202A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最大功耗 Pd | 333W | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 16.51mm | |
| 宽度 | 10.67 mm | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 202A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC | ||
最大功耗 Pd 333W | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 16.51mm | ||
宽度 10.67 mm | ||
高度 4.83mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET 功率 MOSFET 专门设计用于汽车应用。此功率 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每个硅面积的低接通电阻。
先进的过程技术
超低接通电阻
快速切换
重复雪崩允许高达 Tjmax