Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 4.7 A, TSOP, 6引脚
- RS 库存编号:
- 260-5070
- 制造商零件编号:
- BSL211SPH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-5070
- 制造商零件编号:
- BSL211SPH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | TSOP | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 67mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 4.7A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 TSOP | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 67mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon P 通道 optiMOS 小信号晶体管在增强模式下工作。其最大功耗为 2000 mW。此 MOSFET 晶体管的工作温度范围为 -55 °C 至 150 °C。
增强模式
超级逻辑级别
Avalanche 等级
快速切换
无铅引线镀层