Infineon N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=600 V, 0.12 A, PG-SOT223, 4引脚, BSP系列

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包装方式:
RS 库存编号:
260-5075P
制造商零件编号:
BSP135H6906XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

0.12A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

PG-SOT223

系列

BSP

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

60mΩ

通道模式

消耗

正向电压 Vf

1.2V

标准/认证

No

Distrelec Product Id

304-41-649

汽车标准

AEC-Q101

Infineon N 通道 MOSFET 晶体管在耗尽模式下工作。其最大功耗为 1.8 W。此 MOSFET 晶体管的最低工作温度为 -55 °C,最高工作温度为 150 °C。

耗尽模式

dv 或 dt 额定值

在卷上提供 V GS(th) 指示灯