Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, 180 A, TO-263, IPB180N06S4H1ATMA2, iPB系列

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包装方式:
RS 库存编号:
260-5120
制造商零件编号:
IPB180N06S4H1ATMA2
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

180A

包装类型

TO-263

系列

iPB

通道模式

增强

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

Infineon N 通道 optiMOS 功率 MOSFET 提供出色的网关充电。它具有最高电流容量。此 N 通道 MOSFET 晶体管在增强模式下工作。

N 频道增强模式

MSL1 高达 260°C 的峰值回流

100% Avalanche 经过测试