Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=180 A, TO-263, iPB系列
- RS 库存编号:
- 260-5120P
- 制造商零件编号:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 98 | RMB28.195 |
| 100 - 248 | RMB23.20 |
| 250 - 498 | RMB22.725 |
| 500 + | RMB19.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-5120P
- 制造商零件编号:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | iPB | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.70mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | +175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 iPB | ||
包装类型 TO-263 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.70mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 +175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon N 通道 optiMOS 功率 MOSFET 提供出色的网关充电。它具有最高电流容量。此 N 通道 MOSFET 晶体管在增强模式下工作。
N 频道增强模式
MSL1 高达 260°C 的峰值回流
100% Avalanche 经过测试