Infineon N沟道MOSFET, Vds=200 V, Id=34 A, TO-252, IPD系列
- RS 库存编号:
- 260-5132P
- 制造商零件编号:
- IPD320N20N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 98 | RMB22.06 |
| 100 - 248 | RMB18.06 |
| 250 - 998 | RMB17.725 |
| 1000 + | RMB13.995 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-5132P
- 制造商零件编号:
- IPD320N20N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 34A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | IPD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 32mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | +175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 34A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 IPD | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 32mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 +175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon N 通道 optiMOS MOSFET 晶体管提供出色的栅极充电。它特别适用于高频切换和同步整流。
N 通道,正常电平
特别适用于高频切换和同步整流