Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 75 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 260-5866
- 制造商零件编号:
- IRFB7546PBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB3.226 | RMB161.30 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-5866
- 制造商零件编号:
- IRFB7546PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 75 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 75 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 硅 | ||
Infineon 单 N 通道 StrongIRFET 功率 MOSFET。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。广泛的应用,包括直流电动机、电池管理系统、变频器和具有高额定电流的直流-直流转换器。
高电流承载能力封装
在低频应用中具有高性能
在低频应用中具有高性能