ROHM N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=60 A, HSOP, RS6P060BH系列

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包装方式:
RS 库存编号:
260-6164P
制造商零件编号:
RS6P060BHTB1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

60A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

HSOP

系列

RS6P060BH

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

10.6mΩ

通道模式

N

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

73W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

25nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

ROHM N 通道功率 MOSFET 具有低接通电阻,最大功耗为 73 W。它采用高功率封装 HSOP8,用于切换应用。

无卤素

符合 ROHS 标准

无铅镀层

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