STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=20 A, 3针, TO-220
- RS 库存编号:
- 261-4759
- 制造商零件编号:
- STP65N150M9
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 261-4759
- 制造商零件编号:
- STP65N150M9
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 150mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 32nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 宽度 | 10.4mm | |
| 长度 | 28.9mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 150mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 32nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 4.6mm | ||
宽度 10.4mm | ||
长度 28.9mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道 650 V，典型值 128 mOhm，20 A MDmesh M9 功率 MOSFET，采用 TO-220 封装
此 N 通道功率 MOSFET 基于最具创新的超结 MDmesh M9 工艺，适用于中/高电压 MOSFET，每个区域的 RDS (接通) 都极低。硅基 M9 工艺受益于多排制造工艺，可实现增强型器件结构。相应产品在所有硅基快速开关超结功率 MOSFET 中具有较低的导通电阻和栅极电荷，特别适用于需要更高功率密度和效率的应用。
所有功能
相关链接
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