STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 30 A, 带装和卷装, 表面安装, 7引脚
- RS 库存编号:
- 261-5041
- 制造商零件编号:
- SCT055HU65G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 261-5041
- 制造商零件编号:
- SCT055HU65G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | 带装和卷装 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 29nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 3.5mm | |
| 长度 | 18.58mm | |
| 宽度 | 14 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 带装和卷装 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 29nC | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 3.5mm | ||
长度 18.58mm | ||
宽度 14 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MA
汽车级碳化硅Power MOSFET 650 V,58 mOhm型,30 A在HU3PAK包装中
STMicroelectronics 碳化硅功率 MOSFET 器件使用 ST 的先进和创新的第三代 SiC MOSFET 技术开发。该设备在整个温度范围内具有非常低的 RDS(接通),结合低电容和非常高的切换操作,可在频率、能效、系统尺寸和重量降低方面提高应用性能。
AEC-Q101 认证
在整个温度范围内非常低的 RDS(接通)
高速切换性能
非常快速且坚固的本质主体二极管
源感应引脚,可提高效率