STMicroelectronics N沟道MOSFET, Vds=800 V, Id=10 A, 3针, TO-220, MDmesh K6系列
- RS 库存编号:
- 261-5485P
- 制造商零件编号:
- STP80N450K6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 2 - 4 | RMB28.62 |
| 5 - 9 | RMB27.19 |
| 10 - 19 | RMB25.86 |
| 20 + | RMB24.52 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 261-5485P
- 制造商零件编号:
- STP80N450K6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | MDmesh K6 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.6Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 25.9nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 10A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 MDmesh K6 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.6Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25.9nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 非常高电压 N 通道功率 MOSFET 采用基于超级接线技术的终极 MDmesh K6 技术设计。结果是每个区域和栅极充电的同类最佳接通电阻,适用于需要出色的功率密度和高效率的应用。
全球最佳 RDS(on) x 区域
全球最佳 FOM(卓越数字)
超低门充电
100% 雪崩测试
齐纳保护