STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 125 A, PowerFLAT, 表面安装, 8引脚, STL120N10F8
- RS 库存编号:
- 261-5532
- 制造商零件编号:
- STL120N10F8
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 包，共 2 件）*
RMB35.29
(不含税)
RMB39.878
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年7月13日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB17.645 | RMB35.29 |
| 10 - 98 | RMB15.88 | RMB31.76 |
| 100 - 248 | RMB14.285 | RMB28.57 |
| 250 - 498 | RMB12.87 | RMB25.74 |
| 500 + | RMB12.16 | RMB24.32 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 261-5532
- 制造商零件编号:
- STL120N10F8
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 125A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | PowerFLAT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 56nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 125A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 PowerFLAT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 56nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道增强模式标准电平 100 V,最大 4.6 mΩ,125 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
此 STMicroelectronics N 通道功率 MOSFET 使用 STripFET F8 技术,具有增强型槽门结构。;它可确保非常低的接通状态电阻,同时减少内部电容和门充电,以实现更快、更高效的切换。