STMicroelectronics 双N沟道 MOSFET, Vds=95 V, LBB, 表面安装, 5引脚
- RS 库存编号:
- 261-5583
- 制造商零件编号:
- RF5L15120CB4
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 卷，共 100 件）*
¥182,271.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 100 + | RMB1,822.71 | RMB182,271.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 261-5583
- 制造商零件编号:
- RF5L15120CB4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | 双N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 95V | |
| 包装类型 | LBB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1Ω | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 2.1mm | |
| 标准/认证 | 2002/95/EC | |
| 长度 | 28.95mm | |
| 宽度 | 5.85 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 双N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 95V | ||
包装类型 LBB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 1Ω | ||
最大栅源电压 Vgs 10 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 2.1mm | ||
标准/认证 2002/95/EC | ||
长度 28.95mm | ||
宽度 5.85 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 120 W LDMOS FET 设计用于 HF 至 1.5 GHz 频率的宽带商业通信、电视广播、航空电子产品和工业应用。它可用于 AB/B 类和 C 类,用于所有典型调制格式。
高效率和线性增益操作
集成 ESD 保护
大正和负门或源电压范围
出色的热稳定性,低 HCI 漂移