ROHM N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=65 A, TO-252, RD3G03BBG系列
- RS 库存编号:
- 261-9329
- 制造商零件编号:
- RD3G03BBGTL1
- 制造商:
- ROHM
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- RS 库存编号:
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- 制造商零件编号:
- RD3G03BBGTL1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 65A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | RD3G03BBG | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.5mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最大功耗 Pd | 50W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18.2nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 65A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 RD3G03BBG | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 6.5mΩ | ||
通道模式 N | ||
最大功耗 Pd 50W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18.2nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM RD3G03BBG 是功率 MOSFET,具有低接通电阻和高功率封装,适用于切换。存储温度范围为 -55°C 至 +150°C。
接线端子数量为 3
无铅镀层,符合 RoHS 标准
无卤素
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