Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, DSO, 通孔安装, 24引脚, EiceDRIVER系列
- RS 库存编号:
- 262-5812P
- 制造商零件编号:
- 6ED2231S12TXUMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 262-5812P
- 制造商零件编号:
- 6ED2231S12TXUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 系列 | EiceDRIVER | |
| 包装类型 | DSO | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 24 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大功耗 Pd | 1.3W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 17.9mm | |
| 宽度 | 7.5 mm | |
| 高度 | 2.65mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
系列 EiceDRIVER | ||
包装类型 DSO | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 24 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大功耗 Pd 1.3W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 17.9mm | ||
宽度 7.5 mm | ||
高度 2.65mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 高电压、高速功率 IGBT 或 SiC MOSFET 栅极驱动器,带三个独立的高侧和低侧参考输出通道,用于三相应用。
Infineon 薄膜 SOI 技术
集成超快引导二极管
浮动通道设计