Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=191 A, 3针, TO-263, iPB系列
- RS 库存编号:
- 262-5849
- 制造商零件编号:
- IPB014N04NF2SATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 262-5849
- 制造商零件编号:
- IPB014N04NF2SATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 191A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | iPB | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.15mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 191A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 iPB | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.15mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon N 通道功率晶体管经过优化,适用于各种应用,且经过 100% 雪崩测试。
无铅引线镀层
符合 RoHS 标准
无卤,符合 IEC61249-2-21 标准
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