Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=195 A, 3针, TO-263, iPB系列

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包装方式：
RS 库存编号:
262-5852
制造商零件编号:
IPB015N06NF2SATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

195A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-263

系列

iPB

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.15mΩ

通道模式

增强

标准/认证

No

汽车标准

否

Infineon N 通道功率晶体管经过优化,适用于各种应用,且经过 100% 雪崩测试。

无铅引线镀层

符合 RoHS 标准

无卤,符合 IEC61249-2-21 标准

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