Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 187 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPB018N06NF2SATMA1, iPB系列

可享批量折扣

小计(1 包,共 5 件)*

¥89.92

(不含税)

¥101.61

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 790 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每包*
5 - 20RMB17.984RMB89.92
25 - 45RMB12.152RMB60.76
50 - 95RMB11.91RMB59.55
100 +RMB10.062RMB50.31

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
262-5855
制造商零件编号:
IPB018N06NF2SATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

187A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-263

系列

iPB

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.15mΩ

通道模式

增强

标准/认证

No

汽车标准

Infineon N 通道功率晶体管经过优化,适用于各种应用,且经过 100% 雪崩测试。

无铅引线镀层

符合 RoHS 标准

无卤,符合 IEC61249-2-21 标准