Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=75 V, 75 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 262-6725
- 制造商零件编号:
- IRF2807ZPBF
- 制造商:
- Infineon
小计（1 管，共 1000 件）*
¥6,014.00
(不含税)
¥6,796.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年3月09日 发货
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 1000 + | RMB6.014 | RMB6,014.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 262-6725
- 制造商零件编号:
- IRF2807ZPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 75 A | |
| 最大漏源电压 | 75 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 75 A | ||
最大漏源电压 75 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 硅 | ||
Infineon 功率 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每硅区域极低的电阻。此设计具有附加功能,如 175°C 接点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。
超低接通电阻
重复雪崩允许高达 Tjmax
重复雪崩允许高达 Tjmax