Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 1.9 a, SO-8, 贴片安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 262-6732
- 制造商零件编号:
- IRF7451TRPBF
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 4000 件）*
¥15,424.00
(不含税)
¥17,428.00
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 4000 + | RMB3.856 | RMB15,424.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 262-6732
- 制造商零件编号:
- IRF7451TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.9 a | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 封装类型 | SO-8 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.9 a | ||
最大漏源电压 150 V | ||
封装类型 SO-8 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 硅 | ||
Infineon 功率 MOSFET 具有低门到排放电荷,可减少切换损耗。它适合与高频直流-直流转换器一起使用。
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