Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=3.6 A, 8针, SO-8, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 262-6734P
- 制造商零件编号:
- IRF7451TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB5.073 |
| 100 - 490 | RMB4.569 |
| 500 - 1990 | RMB4.157 |
| 2000 + | RMB4.072 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 262-6734P
- 制造商零件编号:
- IRF7451TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 90mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 宽度 | 4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 3.6A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 90mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 5mm | ||
高度 1.75mm | ||
宽度 4mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 功率 MOSFET 具有低门到排放电荷,可减少切换损耗。它适合与高频直流-直流转换器一起使用。
完全特性化的雪崩电压和电流