Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 3.6 A, SO-8, 贴片安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 262-6736P
- 制造商零件编号:
- IRF7465TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 75 | RMB2.946 |
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| 500 - 1975 | RMB2.458 |
| 2000 + | RMB2.408 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 262-6736P
- 制造商零件编号:
- IRF7465TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 3.6 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 封装类型 | SO-8 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 3.6 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
封装类型 SO-8 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
晶体管材料 硅 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
Infineon 功率 MOSFET 具有低门到排放电荷,可减少切换损耗。它适合与高频直流-直流转换器一起使用。
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