Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 6.9 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 262-6738P
- 制造商零件编号:
- IRF7473TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB8.111 |
| 100 - 490 | RMB7.308 |
| 500 - 1990 | RMB6.636 |
| 2000 + | RMB6.502 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 262-6738P
- 制造商零件编号:
- IRF7473TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 26mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 61nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 6.9A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 26mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 61nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 4 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 1.75mm | ||
长度 5mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 功率 MOSFET 具有低栅极驱动电流等优点,由于具有改进的栅极充电特性、改进的雪崩坚固性和动态 dv/dt 以及完全特性化的雪崩电压和电流。
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