Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 2.4 A, SOIC, 8引脚, IRF7503TRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 262-6740
- 制造商零件编号:
- IRF7503TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 262-6740
- 制造商零件编号:
- IRF7503TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | HEXFET | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 222mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.8nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 1.25W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| Distrelec Product Id | 304-41-669 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 2.4A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 HEXFET | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 222mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.8nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 1.25W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
Distrelec Product Id 304-41-669 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 功率 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每硅区域极低的电阻。它具有最小的印迹,使其特别适用于印刷电路板空间极其重要的应用。
超低阻力
可用胶带和滚筒制作
非常小的 SOIC 套件