Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 3.6 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 262-6742
- 制造商零件编号:
- IRF7606TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
¥111.10
(不含税)
¥125.55
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年2月23日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB4.444 | RMB111.10 |
| 50 - 75 | RMB4.355 | RMB108.88 |
| 100 - 475 | RMB4.001 | RMB100.03 |
| 500 - 1975 | RMB3.635 | RMB90.88 |
| 2000 + | RMB3.564 | RMB89.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 262-6742
- 制造商零件编号:
- IRF7606TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 3.6 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 3.6 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 硅 | ||
Infineon 功率 MOSFET 具有低门到排放电荷,可减少切换损耗。它适合与高频直流-直流转换器一起使用。
完全特性化的雪崩电压和电流