Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=55 V, Id=19 A, 3针, TO-263, HEXFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
262-6744
Distrelec 货号:
304-41-670
制造商零件编号:
IRF9Z34NSTRLPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

19A

最大漏源电压 Vd

55V

包装类型

TO-263

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

3

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

标准/认证

No

汽车标准

否

Infineon 功率 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每硅区域极低的电阻。此设计具有 175°C 工作温度、快速切换速度等特点。

完全防风雨等级

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