Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 19 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF9Z34NSTRLPBF, HEXFET系列

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RS 库存编号:
262-6744
制造商零件编号:
IRF9Z34NSTRLPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

19A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

HEXFET

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

标准/认证

No

Distrelec Product Id

304-41-670

汽车标准

Infineon 功率 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每硅区域极低的电阻。此设计具有 175°C 工作温度、快速切换速度等特点。

完全防风雨等级