Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 19 A, D2PAK, 贴片安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 262-6744P
- 制造商零件编号:
- IRF9Z34NSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 40 | RMB6.923 |
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| 100 - 240 | RMB5.654 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 262-6744P
- 制造商零件编号:
- IRF9Z34NSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 19 A | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 19 A | ||
最大漏源电压 55 V | ||
封装类型 D2PAK | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
晶体管材料 硅 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
Infineon 功率 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每硅区域极低的电阻。此设计具有 175°C 工作温度、快速切换速度等特点。
完全防风雨等级