Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 64 A, TO-220 全包装, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 262-6754P
- 制造商零件编号:
- IRFI3205PBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 50 件 (按管提供)*
¥744.70
(不含税)
¥841.50
(含税)
有库存
- 另外 1,775 件在 2025年12月08日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB14.894 |
| 100 - 245 | RMB13.402 |
| 250 - 995 | RMB13.146 |
| 1000 + | RMB12.188 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 262-6754P
- 制造商零件编号:
- IRFI3205PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 64 A | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 封装类型 | TO-220 全包装 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 64 A | ||
最大漏源电压 55 V | ||
封装类型 TO-220 全包装 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 硅 | ||
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，64A 最大连续漏极电流，63W 最大功率耗散 - IRFI3205PBF
这种 MOSFET 适合高效应用，可为各种电子和电气系统提供解决方案。凭借先进的处理技术，它能有效地完成电源管理和开关任务，是现代设计的关键组件。其增强模式技术可确保在各种运行条件下都能保持稳定的性能。
特点和优势
• 64A 的连续漏极电流能力可支持高性能应用
• 55V 漏极-源极电压提高了电路可靠性
• 8mΩ 的低导通电阻降低了功率损耗
• 快速开关速度提高了高频应用的效率
• 额定最大功率耗散为 63W，支持有效的散热管理
• TO-220 封装设计可直接安装在各种装置中
• 55V 漏极-源极电压提高了电路可靠性
• 8mΩ 的低导通电阻降低了功率损耗
• 快速开关速度提高了高频应用的效率
• 额定最大功率耗散为 63W，支持有效的散热管理
• TO-220 封装设计可直接安装在各种装置中
应用
• 用于电源，实现高效的能量转换
• 适用于管理大电流的直流-直流转换器
• 电机控制的理想选择 需要快速切换
• 用于可再生能源系统中的逆变器电路
• 用于电动汽车电源管理系统
• 适用于管理大电流的直流-直流转换器
• 电机控制的理想选择 需要快速切换
• 用于可再生能源系统中的逆变器电路
• 用于电动汽车电源管理系统
低导通电阻如何提高性能？
低导通电阻可减少热量损失，提高效率，确保负载获得更多能量，而不是浪费热量。
高效运行的最佳栅极电压是多少？
10V 的最佳栅极电压可确保最大导通，从而保证在大电流应用中可靠运行。
该元件能否处理脉冲电流？
是的，它的额定脉冲漏极电流高达 390A，适合瞬态需求应用。
它的工作温度范围是多少？
它能在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内有效工作，适应各种环境条件。
该产品是否与标准 PCB 安装兼容？
是的，其 TO-220 封装设计可确保与传统的通孔 PCB 安装方式兼容。