Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 26 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 262-6756
- 制造商零件编号:
- IRFI4227PBF
- 制造商:
- Infineon
小计（1 管，共 2000 件）*
¥27,420.00
(不含税)
¥30,980.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年3月13日 发货
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 2000 + | RMB13.71 | RMB27,420.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 262-6756
- 制造商零件编号:
- IRFI4227PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 26A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.036Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 26A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.036Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 功率 MOSFET 专门设计用于恒定能量恢复和等离子显示面板中的通过开关应用。此 MOSFET 利用最新的处理技术,可实现每硅面积低接通电阻和低 EPULSE 额定值。
150 摄氏度工作接点温度
高重复峰值电流能力