Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 26 A, TO-220 全包装, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 262-6757
- 制造商零件编号:
- IRFI4227PBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | RMB28.135 | RMB56.27 |
| 50 - 98 | RMB21.855 | RMB43.71 |
| 100 - 248 | RMB21.415 | RMB42.83 |
| 250 - 998 | RMB20.985 | RMB41.97 |
| 1000 + | RMB20.56 | RMB41.12 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 262-6757
- 制造商零件编号:
- IRFI4227PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 26 A | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 封装类型 | TO-220 全包装 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 26 A | ||
最大漏源电压 200 V | ||
封装类型 TO-220 全包装 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
晶体管材料 硅 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
Infineon 功率 MOSFET 专门设计用于恒定能量恢复和等离子显示面板中的通过开关应用。此 MOSFET 利用最新的处理技术,可实现每硅面积低接通电阻和低 EPULSE 额定值。
150 摄氏度工作接点温度
高重复峰值电流能力
高重复峰值电流能力