Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 5.1 A, SOT-223, 表面安装, 4引脚, IRFL024ZTRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 262-6766
- 制造商零件编号:
- IRFL024ZTRPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB3.259 | RMB81.48 |
| 50 - 75 | RMB3.194 | RMB79.85 |
| 100 - 225 | RMB2.936 | RMB73.40 |
| 250 - 975 | RMB2.875 | RMB71.88 |
| 1000 + | RMB2.67 | RMB66.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 262-6766
- 制造商零件编号:
- IRFL024ZTRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.075Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 5.1A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 SOT-223 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.075Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 功率 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每硅区域极低的电阻。此设计具有附加功能,如 175°C 接点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。
超低接通电阻
重复雪崩允许高达 Tjmax