Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=55 V, Id=5.1 A, 4针, SOT-223, HEXFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
262-6766
制造商零件编号:
IRFL024ZTRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

5.1A

最大漏源电压 Vd

55V

包装类型

SOT-223

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.075Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

标准/认证

No

汽车标准

否

Infineon 功率 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每硅区域极低的电阻。此设计具有附加功能,如 175°C 接点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。

超低接通电阻

重复雪崩允许高达 Tjmax

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