Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 72 A, TO-262, 通孔安装, 3引脚, IRFSL4127PBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 262-6772
- 制造商零件编号:
- IRFSL4127PBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | RMB45.535 | RMB91.07 |
| 50 - 98 | RMB35.435 | RMB70.87 |
| 100 - 248 | RMB31.875 | RMB63.75 |
| 250 - 498 | RMB31.235 | RMB62.47 |
| 500 + | RMB30.61 | RMB61.22 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 262-6772
- 制造商零件编号:
- IRFSL4127PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 72A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-262 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.075Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 72A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-262 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.075Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 功率 MOSFET 提供优点,如增强的门、雪崩和动态 dV/dt 坚固性以及完全特性化的电容和雪崩 SOA。
增强型主体二极管 dV/dt 和 dI/dt 功能