Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 195 A, TO-262, 通孔安装, 3引脚, IRFSL7437PBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 262-6774
- 制造商零件编号:
- IRFSL7437PBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB17.03 | RMB85.15 |
| 50 - 95 | RMB13.25 | RMB66.25 |
| 100 - 245 | RMB11.918 | RMB59.59 |
| 250 - 495 | RMB11.678 | RMB58.39 |
| 500 + | RMB10.844 | RMB54.22 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 262-6774
- 制造商零件编号:
- IRFSL7437PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 195A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-262 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.075Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 标准/认证 | No | |
| Distrelec Product Id | 304-41-679 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 195A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-262 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.075Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
标准/认证 No | ||
Distrelec Product Id 304-41-679 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 功率 MOSFET 提供优点,如增强的门、雪崩和动态 dV/dt 坚固性以及完全特性化的电容和雪崩 SOA。
无卤素
增强型主体二极管 dV/dt 和 dI/dt 功能
