Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 29 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列

此图片代表整个产品系列,仅供参考。

暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货,RS 不再对该产品备货。
RS 库存编号:
262-6782
制造商零件编号:
IRFZ34NSTRLPBF
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

29A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

HEXFET

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.075Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

标准/认证

No

汽车标准

Infineon 功率 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每硅区域极低的电阻。此设计具有 175°C 工作温度、快速切换速度等特点。

完全防风雨等级