Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 3.2 A, Micro6, 表面安装, 6引脚, IRLMS1503TRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 262-6786
- 制造商零件编号:
- IRLMS1503TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
¥120.30
(不含税)
¥135.95
(含税)
暂时缺货
- 3,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB2.406 | RMB120.30 |
| 100 - 200 | RMB2.166 | RMB108.30 |
| 250 - 450 | RMB2.124 | RMB106.20 |
| 500 - 950 | RMB1.969 | RMB98.45 |
| 1000 + | RMB1.929 | RMB96.45 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 262-6786
- 制造商零件编号:
- IRLMS1503TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | Micro6 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 200mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 1.7W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Distrelec Product Id | 304-41-683 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3.2A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 Micro6 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 200mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 1.7W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.4nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Distrelec Product Id 304-41-683 | ||
Infineon 功率 MOSFET 利用先进的处理技术,以实现每硅区域极低的接通电阻。它结合了高速切换速度和坚固的设备设计,以其出色的功率 MOSFET 而闻名,为设计人员提供极高效、可靠的设备,适用于各种应用。
超低 Rds
N 通道