Renesas Electronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=12 V, 8 A, QFN, 表面安装, 20引脚, ISL6144IRZA, ISL6144系列
- RS 库存编号:
- 263-0246
- 制造商零件编号:
- ISL6144IRZA
- 制造商:
- Renesas Electronics
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 60 - 60 | RMB41.778 | RMB2,506.68 |
| 120 - 240 | RMB40.942 | RMB2,456.52 |
| 300 - 480 | RMB40.123 | RMB2,407.38 |
| 540 + | RMB39.321 | RMB2,359.26 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 263-0246
- 制造商零件编号:
- ISL6144IRZA
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 12V | |
| 包装类型 | QFN | |
| 系列 | ISL6144 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 20 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 19mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 正向电压 Vf | 20mV | |
| 最高工作温度 | 105°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 6.4mm | |
| 宽度 | 0.9 mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 12V | ||
包装类型 QFN | ||
系列 ISL6144 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 20 | ||
最大漏源电阻 Rd 19mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 10 V | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
最低工作温度 -40°C | ||
正向电压 Vf 20mV | ||
最高工作温度 105°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 6.4mm | ||
宽度 0.9 mm | ||
长度 5mm | ||
汽车标准 否 | ||
Renesas Electronics MOSFET 控制器提供合适尺寸的 n 通道功率 MOSFET,可在高电流应用中更换功率 ORing 二极管时提高功率分配效率和可用性。它还包含反向电流故障隔离。
开放式排放,有源低故障输出
内部充电泵