Renesas Electronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=12 V, 8 A, QFN, 表面安装, 20引脚, ISL6144IRZA, ISL6144系列

可享批量折扣

小计 10 件 (按管提供)*

¥458.40

(不含税)

¥518.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 980 个,准备发货
单位
每单位
10 - 24RMB45.84
25 - 119RMB43.66
120 - 299RMB37.87
300 +RMB36.73

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
263-0247P
制造商零件编号:
ISL6144IRZA
制造商:
Renesas Electronics
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Renesas Electronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

8A

最大漏源电压 Vd

12V

包装类型

QFN

系列

ISL6144

安装类型

表面

引脚数目

20

最大漏源电阻 Rd

19mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

10 V

最大功耗 Pd

1W

最低工作温度

-40°C

正向电压 Vf

20mV

最高工作温度

105°C

标准/认证

No

高度

6.4mm

长度

5mm

宽度

0.9 mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
MY
Renesas Electronics MOSFET 控制器提供合适尺寸的 n 通道功率 MOSFET,可在高电流应用中更换功率 ORing 二极管时提高功率分配效率和可用性。它还包含反向电流故障隔离。

开放式排放,有源低故障输出

内部充电泵

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。